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CSD19534Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD19534Q5A规格书详情
描述 Description
这款 100V，12.6mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。 顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用 Application
初级侧电信应用
电机控制
技术参数
- 制造商编号
：CSD19534Q5A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：15.1
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：137
- QG typ (nC)
：17
- QGD typ (nC)
：3.2
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：2.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：44
- ID - package limited (A)
：40
- Logic level
：No
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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