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CSD19533KCS中文资料采用 TO-220 封装的单路、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD19533KCS规格书详情
描述 Description
这款 100V,8.7mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用 Application
次级侧同步整流器
电机控制
技术参数
- 制造商编号
:CSD19533KCS
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:10.5
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:207
- QG typ (nC)
:27
- QGD typ (nC)
:5.4
- Package (mm)
:TO-220
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:2.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:86
- ID - package limited (A)
:100
- Logic level
:No
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
3320 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TI |
25+ |
TO220 |
129 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
TI |
24+ |
TO-220|3 |
279100 |
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TI/德州仪器 |
21+ |
SMD |
2500 |
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TI |
25+ |
TO-220 |
6000 |
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TI |
24+ |
TO-220 |
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TI |
2025+ |
TO-220-3 |
16000 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
TO220 |
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TI |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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