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CSD22205L	文件：1.13486 Mbytes Page：13 Pages	丝印：205；Package：PICOSTAR；CSD22205L –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Low resistance • Small footprint 1.2 mm × 1.2 mm • Low profile 0.36-mm height • Lead free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery management • Load switch • Battery protection 3 Description This –8-V, 文件：1.13486 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22205L	文件：618.32 Kbytes Page：11 Pages	8-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：618.32 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22205L.B	文件：1.13486 Mbytes Page：13 Pages	丝印：205；Package：PICOSTAR；CSD22205L –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Low resistance • Small footprint 1.2 mm × 1.2 mm • Low profile 0.36-mm height • Lead free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery management • Load switch • Battery protection 3 Description This –8-V, 文件：1.13486 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22205LT	文件：1.13486 Mbytes Page：13 Pages	丝印：205；Package：PICOSTAR；CSD22205L –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Low resistance • Small footprint 1.2 mm × 1.2 mm • Low profile 0.36-mm height • Lead free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery management • Load switch • Battery protection 3 Description This –8-V, 文件：1.13486 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22205LT.B	文件：1.13486 Mbytes Page：13 Pages	丝印：205；Package：PICOSTAR；CSD22205L –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Low resistance • Small footprint 1.2 mm × 1.2 mm • Low profile 0.36-mm height • Lead free • Gate-source voltage clamp • Gate ESD protection • RoHS compliant • Halogen free 2 Applications • Battery management • Load switch • Battery protection 3 Description This –8-V, 文件：1.13486 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22205LT	文件：618.32 Kbytes Page：11 Pages	8-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：618.32 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22205L	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 该 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™器件旨在以超薄且具有出色散热特性的最小外形尺寸封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。 • 低电阻\n• 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装\n• 扁平设计，高度为 0.35mm\n• 无铅\n• 栅源电压钳位\n• 栅极 ESD 保护\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素;	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-6
Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
9.9
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
15
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
40
Id peak (Max) (A)：
-71
Id max cont (A)：
-7.4
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1
QGS typ (nC)：
1.2
VGSTH typ (V)：
-0.7
Package (mm)：
LGA 1.2x1.2mm

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