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CSD19538Q3A规格书详情
描述 Description
这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
:CSD19538Q3A
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:61
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:36
- QG typ (nC)
:4.3
- QGD typ (nC)
:0.8
- Package (mm)
:SON3x3
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:3.2
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:13.7
- ID - package limited (A)
:15
- Logic level
:No
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
VSONP8 |
28611 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI |
24+ |
VSONP8 |
6800 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
2023+ |
VSONP8 |
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询价 | ||
TI |
25+23+ |
VSONP-8 |
26552 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
VSONP8 |
100000 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
VSONP-8 |
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百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
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询价 | |||
TI/德州仪器 |
2021+ |
VSONP8 |
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十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
22+ |
VSONP-8 |
500000 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
VSONP|8 |
451000 |
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