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CSD19538Q3A中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD19538Q3A规格书详情
描述 Description
这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD19538Q3A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：61
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：36
- QG typ (nC)
：4.3
- QGD typ (nC)
：0.8
- Package (mm)
：SON3x3
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：3.2
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：13.7
- ID - package limited (A)
：15
- Logic level
：No
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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