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CSD19538Q3A

丝印:19538;Package:VSONP;CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead Free • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Power Over Ethernet (PoE) • Power Sourcing Equipment (PSE) • Motor Control 3 Description This 100-V, 49-

文件:558.8 Kbytes 页数:15 Pages

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CSD19538Q3A

100 V N-Channel NexFET Power MOSFET

文件:348.85 Kbytes 页数:13 Pages

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德州仪器

CSD19538Q3A.B

丝印:19538;Package:VSONP;CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead Free • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Power Over Ethernet (PoE) • Power Sourcing Equipment (PSE) • Motor Control 3 Description This 100-V, 49-

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CSD19538Q3AT

丝印:19538;Package:VSONP;CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead Free • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Power Over Ethernet (PoE) • Power Sourcing Equipment (PSE) • Motor Control 3 Description This 100-V, 49-

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CSD19538Q3AT.B

丝印:19538;Package:VSONP;CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead Free • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Power Over Ethernet (PoE) • Power Sourcing Equipment (PSE) • Motor Control 3 Description This 100-V, 49-

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CSD19538Q3AT

100 V N-Channel NexFET Power MOSFET

文件:348.85 Kbytes 页数:13 Pages

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CSD19538Q3A

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;

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技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):

    61

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A):

    36

  • QG typ (nC):

    4.3

  • QGD typ (nC):

    0.8

  • Package (mm):

    SON3x3

  • VGS (V):

    20

  • VGSTH typ (V):

    3.2

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A):

    13.7

  • ID - package limited (A):

    15

  • Logic level:

    No

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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45000
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3347
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更多CSD19538Q3A供应商 更新时间2025-10-5 13:20:00