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CSD19538Q3AT.B中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

CSD19538Q3AT.B
厂商型号

CSD19538Q3AT.B

功能描述

CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

19538

封装外壳

VSONP

文件大小

558.8 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI2德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 18:05:00

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CSD19538Q3AT.B规格书详情

1 Features

1• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low-Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Lead Free

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

2 Applications

• Power Over Ethernet (PoE)

• Power Sourcing Equipment (PSE)

• Motor Control

3 Description

This 100-V, 49-mΩ, SON 3.3-mm × 3.3-mm

NexFET™ power MOSFET is designed to minimize

conduction losses and reduce board footprint in PoE

applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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