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CSD19538Q2数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD19538Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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CSD19538Q2规格书详情

描述 Description

这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD19538Q2

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :59

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :34.4

  • QG typ (nC)

    :4.3

  • QGD typ (nC)

    :0.8

  • Package (mm)

    :SON2x2

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :3.2

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :13.1

  • ID - package limited (A)

    :14.4

  • Logic level

    :No

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
24+
WSON-FET-6
9328
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24+
WSON6
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