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CSD19531Q5A数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD19531Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 15:10:00

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CSD19531Q5A规格书详情

描述 Description

这款 100V,5.3mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 1.0°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用 Application

初级侧电信应用
次级侧同步整流器
电机控制

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD19531Q5A

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :6.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :337

  • QG typ (nC)

    :37

  • QGD typ (nC)

    :6.6

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :2.7

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :110

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :No

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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