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CSD19531Q5A	文件：798.73 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19531；Package：VSONP；CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • Primary Side Telecom • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description Thi 文件：798.73 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5A	文件：1.43598 Mbytes Page：14 Pages	CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.43598 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5A	文件：743.08 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：743.08 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5A	文件：1.42812 Mbytes Page：12 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.42812 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5A.B	文件：798.73 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19531；Package：VSONP；CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • Primary Side Telecom • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description Thi 文件：798.73 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5AT	文件：798.73 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19531；Package：VSONP；CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • Primary Side Telecom • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description Thi 文件：798.73 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5AT.B	文件：798.73 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD19531；Package：VSONP；CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • Primary Side Telecom • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description Thi 文件：798.73 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5A_16	文件：743.08 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：743.08 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5AT	文件：743.08 Kbytes Page：14 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：743.08 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19531Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V，5.3mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.0°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
6.4
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
337
QG typ (nC)：
37
QGD typ (nC)：
6.6
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
2.7
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
110
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亚泰盈科电子有限公司	CSD19531Q5A	TI		SON5x6	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
深圳市斌能达电子科技有限公司	CSD19531Q5A	德州仪器/TI	24+	SC70-5	2000	全新原装深圳仓库现货有单必成	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	CSD19531Q5A	TI	25+		9500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	CSD19531Q5A	TI	21+	VSONP-8	7000	全新原装公司现货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	CSD19531Q5A	TI	23+	(DQJ)-8	1000	只做原装支持实单假一罚十	询价
深圳市赛美科科技有限公司	CSD19531Q5A	TI/德州仪器	21+	NA	8500	一级代理品牌,价格优势原装正品准则	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	CSD19531Q5A	TI	23+	VSONP-8	30000	全新原装正品	询价
深圳市胜彬电子有限公司	CSD19531Q5A	TI/德州仪器	2216+	VSON8	8000	原装正品假一罚十	询价
上海意淼电子科技有限公司	CSD19531Q5A	TI	23+	VSONP-8	2500	全新原装假一赔十	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD19531Q5A	TI(德州仪器)	24+	VQFN8	9696	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价

更多CSD19531Q5A供应商更新时间2025-10-13 9:11:00

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