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CSD18533KCS中文资料采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD18533KCS规格书详情
描述 Description
这款 5.0mΩ，60V TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用 Application
直流-直流转换次级侧同步整流器电机控制
技术参数
- 制造商编号
：CSD18533KCS
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：9
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：6.3
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：293
- QG typ (nC)
：28
- QGD typ (nC)
：3.9
- Package (mm)
：TO-220
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：118
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
3275 |
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TI |
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TO220 |
17500 |
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VB |
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TO-220 |
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TI |
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TO220 |
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TI(德州仪器) |
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TI |
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TO-220 |
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TI |
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TO-220-3 |
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TI/德州仪器 |
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