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CSD19532KTT中文资料采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD19532KTT规格书详情
描述 Description
这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。引脚分配要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• D2PAK 塑料封装
应用 Application
次级侧同步整流器
热插拔
电机控制
技术参数
- 制造商编号
：CSD19532KTT
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：5.6
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：400
- QG typ (nC)
：44
- QGD typ (nC)
：5.6
- Package (mm)
：D2PAK
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：2.6
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：136
- ID - package limited (A)
：200
- Logic level
：No
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
NA/ |
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TI |
24+ |
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TI/德州 |
23+ |
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24+ |
TO-263 |
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TI |
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TI/德州仪器 |
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NA |
860000 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
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TI/德州 |
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TO-263 |
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TI(德州仪器) |
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TI/德州 |
23+ |
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