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CSD19532KTT	文件：431.48 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19532KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Hot Swap • Motor Control 3 Description This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK 文件：431.48 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19532KTT.B	文件：431.48 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19532KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Hot Swap • Motor Control 3 Description This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK 文件：431.48 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19532KTTT	文件：431.48 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19532KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Hot Swap • Motor Control 3 Description This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK 文件：431.48 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19532KTTT.B	文件：431.48 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19532KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Hot Swap • Motor Control 3 Description This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK 文件：431.48 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19532KTT	文件：374.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：374.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD19532KTT	文件：372.71 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：372.71 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19532KTTT	文件：372.71 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：372.71 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19532KTT	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。引脚分配要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• D2PAK 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
5.6
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
44
QGD typ (nC)：
5.6
Package (mm)：
D2PAK
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
2.6
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
136
ID - package limited (A)：
200
Logic level：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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