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CSD19532KTTT	文件：431.48 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19532KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Hot Swap • Motor Control 3 Description This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK 文件：431.48 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19532KTTT	文件：372.71 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：372.71 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19532KTTT.B	文件：431.48 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19532KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Hot Swap • Motor Control 3 Description This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK 文件：431.48 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
L-19532	文件：16.12 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT DRUM CORE INDUCTOR 文件：16.12 Kbytes 页数：1 Pages	RHOMBUS-IND	RHOMBUS-IND

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