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CSD23202W10中文资料采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD23202W10规格书详情
描述 Description
这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 小尺寸封装 1mm x 1mm
• 薄型，0.62mm 高度
• 无铅
• 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
应用 Application
电池管理
负载开关
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD23202W10
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-6
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：53
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：66
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：92
- Id peak (Max) (A)
：-25
- Id max cont (A)
：-2.2
- QG typ (nC)
：2.9
- QGD typ (nC)
：0.28
- QGS typ (nC)
：0.55
- VGSTH typ (V)
：-0.6
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.0
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
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