CSD23202W10规格书应用电路贸易商德州仪器-114ic电子网

首页 >CSD23202W10>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
CSD23202W10	文件：496.59 Kbytes Page：11 Pages	丝印：202；Package：DSBGA；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62-mm Height • Pb Free • Gate ESD Protection – 3 kV • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 12 V, 44 mΩ device is desi 文件：496.59 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23202W10	文件：440.93 Kbytes Page：12 Pages	12-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：440.93 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23202W10	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 小尺寸封装 1mm x 1mm\n• 薄型，0.62mm 高度\n• 无铅\n• 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素;	TI 德州仪器	TI
CSD23202W10.B	文件：496.59 Kbytes Page：11 Pages	丝印：202；Package：DSBGA；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62-mm Height • Pb Free • Gate ESD Protection – 3 kV • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 12 V, 44 mΩ device is desi 文件：496.59 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23202W10T	文件：496.59 Kbytes Page：11 Pages	丝印：202；Package：DSBGA；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62-mm Height • Pb Free • Gate ESD Protection – 3 kV • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 12 V, 44 mΩ device is desi 文件：496.59 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23202W10T.B	文件：496.59 Kbytes Page：11 Pages	丝印：202；Package：DSBGA；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62-mm Height • Pb Free • Gate ESD Protection – 3 kV • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 12 V, 44 mΩ device is desi 文件：496.59 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23202W10_15	文件：1.02391 Mbytes Page：15 Pages	CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.02391 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23202W10T	文件：440.93 Kbytes Page：12 Pages	12-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：440.93 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-6
Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
53
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
66
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
92
Id peak (Max) (A)：
-25
Id max cont (A)：
-2.2
QG typ (nC)：
2.9
QGD typ (nC)：
0.28
QGS typ (nC)：
0.55
VGSTH typ (V)：
-0.6
Package (mm)：
WLP 1.0x1.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD23202W10	TI/德州仪器	25+	DSBGA4	32360	TI/德州仪器全新特价CSD23202W10即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	CSD23202W10	TI	19+	DSBGA4	40000	全新原装公司现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CSD23202W10	TI/德州仪器	2021+	DSBGA4	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CSD23202W10	TI/德州仪器	2023+	SMD	53200	正品,原装现货	询价
上海皇华信息科技有限公司	CSD23202W10	Texas Instruments	2034	NA	3000	自营现货,只做正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD23202W10	TI(德州仪器)	24+	BGA4	13048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市中远芯科技有限公司	CSD23202W10	TI/德州仪器	1905+	DSBGA4	27373	原装现货价格优势	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CSD23202W10	TI(德州仪器)	24+	DSBGA-4	7348	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	CSD23202W10	TI/德州仪器	21+	BGA4	20000	只做正品原装现货	询价
深圳市俊晖半导体有限公司	CSD23202W10	TI	25+	DSBGA4	8800	公司只做原装,详情来电咨询	询价

更多CSD23202W10供应商更新时间2025-12-16 17:16:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号