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CSD23202W10T.B中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

CSD23202W10T.B
厂商型号

CSD23202W10T.B

功能描述

CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

202

封装外壳

DSBGA

文件大小

496.59 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI2德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 22:30:00

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CSD23202W10T.B规格书详情

1 Features

1• Ultra-Low Qg and Qgd

• Small Footprint 1 mm × 1 mm

• Low Profile 0.62-mm Height

• Pb Free

• Gate ESD Protection – 3 kV

• RoHS Compliant

• Halogen Free

2 Applications

• Battery Management

• Load Switch

• Battery Protection

3 Description

This 12 V, 44 mΩ device is designed to deliver the

lowest on-resistance and gate charge in a small

1 mm × 1 mm outline with excellent thermal

characteristics in an ultra-low profile.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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