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CSD22206W中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

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厂商型号

CSD22206W

功能描述

CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

22206

封装外壳

DSBGA

文件大小

478.42 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 14:13:00

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CSD22206W规格书详情

1 Features

1• Ultra-Low Resistance

• Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm

• Lead Free

• Gate ESD Protection

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• Gate-Source Voltage Clamp

2 Applications

• Load Switch Applications

• Battery Management

• Battery Protection

3 Description

This –8-V, 4.7-mΩ, 1.5-mm × 1.5-mm device is

designed to deliver the lowest on resistance and gate

charge in the smallest outline possible with excellent

thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on

resistance coupled with the small footprint and low

profile make the device ideal for battery operated

space constrained applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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