丝印：22206；Package：DSBGA；CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1

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8-V P-Channel NexFET Power MOSFET

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丝印：22206；Package：DSBGA；CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1

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丝印：22206；Package：DSBGA；CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1

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丝印：22206；Package：DSBGA；CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1

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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限 应用。 • 超低电阻\n• 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm\n• 无铅\n• 栅极静电放电 (ESD) 保护\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 栅 - 源电压钳位;

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