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CSD22206W.B	文件：478.42 Kbytes Page：13 Pages	丝印：22206；Package：DSBGA；CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1 文件：478.42 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22206W.B	文件：484.12 Kbytes Page：13 Pages	CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1 文件：484.12 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22206WT	文件：411 Kbytes Page：12 Pages	8-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：411 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22206WT	文件：478.42 Kbytes Page：13 Pages	CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1 文件：478.42 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD22206WT	文件：484.12 Kbytes Page：13 Pages	CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1 文件：484.12 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

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更多CSD22206W.B供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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