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CSD23202W10.B中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

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厂商型号

CSD23202W10.B

功能描述

CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

202

封装外壳

DSBGA

文件大小

496.59 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 20:00:00

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CSD23202W10.B规格书详情

1 Features

1• Ultra-Low Qg and Qgd

• Small Footprint 1 mm × 1 mm

• Low Profile 0.62-mm Height

• Pb Free

• Gate ESD Protection – 3 kV

• RoHS Compliant

• Halogen Free

2 Applications

• Battery Management

• Load Switch

• Battery Protection

3 Description

This 12 V, 44 mΩ device is designed to deliver the

lowest on-resistance and gate charge in a small

1 mm × 1 mm outline with excellent thermal

characteristics in an ultra-low profile.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
24+
NA/
3494
原装现货,当天可交货,原型号开票
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TI
2025+
原厂原装
16000
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TI/德州仪器
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TI/德州仪器
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TI/德州仪器
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TI/德州仪器
25+
原厂封装
10280
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TI
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DSBGA
10000
原装正品
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