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CSD22206W数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD22206W

功能描述

采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 11:37:00

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CSD22206W规格书详情

描述 Description

这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限 应用。

特性 Features

• 超低电阻
• 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
• 无铅
• 栅极静电放电 (ESD) 保护
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 栅 - 源电压钳位

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD22206W

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-6

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :5.7

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :9.1

  • Id peak (Max) (A)

    :-108

  • Id max cont (A)

    :-5

  • QG typ (nC)

    :11.2

  • QGD typ (nC)

    :1.8

  • QGS typ (nC)

    :2.1

  • VGSTH typ (V)

    :-0.7

  • Package (mm)

    :WLP 1.5x1.5

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