CSD23203W中文资料采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD23203W规格书详情
描述 Description
这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计，能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低导通电阻 RDS(on)
• 小尺寸
• 低厚度，0.62mm 高
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD23203W
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-6
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：19.4
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：26.5
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：53
- Id peak (Max) (A)
：-54
- Id max cont (A)
：-3
- QG typ (nC)
：4.9
- QGD typ (nC)
：0.6
- QGS typ (nC)
：1.3
- VGSTH typ (V)
：-0.8
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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DSBGA-6 |
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