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CSD23382F4规格书详情
描述 Description
此 66mΩ，12V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
• 1.0mm × 0.6mm
• 低高度
• 最大高度 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 2kV 人体模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅端子镀层
• 无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
电池类应用
手持式和移动类应用
技术参数
- 制造商编号
：CSD23382F4
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-8
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：76
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：105
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：199
- Id peak (Max) (A)
：-22
- Id max cont (A)
：-3.5
- QG typ (nC)
：1.04
- QGD typ (nC)
：0.15
- QGS typ (nC)
：0.5
- VGSTH typ (V)
：-0.8
- Package (mm)
：LGA 1.0x0.6mm
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
9000 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
XFDFN |
25048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TI |
2016+ |
3-XFDFN |
6523 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
2023+ |
DFN |
9000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
TI |
25+ |
XFDFN |
1465 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
TI |
24+ |
PICOSTAR|3 |
798400 |
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询价 | ||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
220083 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2407+ |
IC |
30098 |
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询价 | ||
TI |
24+ |
XDFN-3 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
TI |
24+ |
XDFN-3 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
