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CSD23382F4	文件：1.15368 Mbytes Page：14 Pages	CSD23382F4 12-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36-mm maximum height • Integrated ESD protection diode – Rated > 2-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Pb terminal plating • Halogen free • RoHS compliant 2 App 文件：1.15368 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23382F4	文件：761.16 Kbytes Page：13 Pages	12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：761.16 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23382F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 66mΩ，12V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。 • 低导通电阻\n• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸） \n• 低高度 \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 环保标准;	TI 德州仪器	TI
CSD23382F4.B	文件：1.15368 Mbytes Page：14 Pages	CSD23382F4 12-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36-mm maximum height • Integrated ESD protection diode – Rated > 2-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Pb terminal plating • Halogen free • RoHS compliant 2 App 文件：1.15368 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23382F4T	文件：1.15368 Mbytes Page：14 Pages	CSD23382F4 12-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36-mm maximum height • Integrated ESD protection diode – Rated > 2-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Pb terminal plating • Halogen free • RoHS compliant 2 App 文件：1.15368 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23382F4T.B	文件：1.15368 Mbytes Page：14 Pages	CSD23382F4 12-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Low profile – 0.36-mm maximum height • Integrated ESD protection diode – Rated > 2-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Pb terminal plating • Halogen free • RoHS compliant 2 App 文件：1.15368 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23382F4_15	文件：1.27267 Mbytes Page：15 Pages	CSD23382F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.27267 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23382F4T	文件：761.16 Kbytes Page：13 Pages	12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：761.16 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-8
Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
76
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
105
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
199
Id peak (Max) (A)：
-22
Id max cont (A)：
-3.5
QG typ (nC)：
1.04
QGD typ (nC)：
0.15
QGS typ (nC)：
0.5
VGSTH typ (V)：
-0.8
Package (mm)：
LGA 1.0x0.6mm

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD23382F4供应商更新时间2026-1-20 14:01:00

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