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CSD23381F4规格书详情
描述 Description
这款 150mΩ,12V P 通道 FemtoFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 已被设计且优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 此技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时替代标准的小信号 MOSFET。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 高运行漏极电流
• 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
• 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
• 最大高度 0.35mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
电池类应用
手持式和移动类应用
技术参数
- 制造商编号
:CSD23381F4
- 生产厂家
:TI
- VGS (V)
:-8
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:175
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
:300
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
:970
- Id peak (Max) (A)
:-9
- Id max cont (A)
:-2.3
- QG typ (nC)
:1.14
- QGD typ (nC)
:0.19
- QGS typ (nC)
:0.3
- VGSTH typ (V)
:-0.95
- Package (mm)
:LGA 1.0x0.6mm
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
4459 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
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UFBGA-6 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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