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CSD23381F4	文件：801.42 Kbytes Page：13 Pages	12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：801.42 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD23381F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 150mΩ，12V P 通道 FemtoFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 已被设计且优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。此技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时替代标准的小信号 MOSFET。 • 超低导通电阻\n• 高运行漏极电流\n• 1.0mm × 0.6mm\n• 超薄 \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管 \n• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)\n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;	TI 德州仪器	TI
CSD23381F4_16	文件：801.42 Kbytes Page：13 Pages	12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：801.42 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD23381F4R	文件：786.93 Kbytes Page：12 Pages	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：786.93 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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更多CSD23381F4供应商更新时间2025-11-19 20:04:00