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CSD25302Q2中文资料P-Channel NexFET™ Power MOSFET数据手册TI规格书
技术参数
- 型号：
CSD25302Q2
- 功能描述：
MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
1164 |
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TI |
25+ |
QFN |
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TI |
24+ |
SON-6 |
20000 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
SON6 |
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TI |
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TI |
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SON6 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
DFN |
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TI/德州仪器 |
25+ |
DFN |
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TI/德州仪器 |
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DFN |
26800 |
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询价 | ||
CCSEMI/芯能圆 |
23+ |
DFN2X2-6 |
50000 |
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询价 |
