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CSD25211W1015中文资料采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD25211W1015规格书详情
描述 Description
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。顶视图 RθJA = 119°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板(PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司 铜过渡片上测得的典型值。脉宽 ≤ 10μs，占空比 ≤ 2%
特性 Features
• 超低导通电阻
• 小尺寸封装 1.0mm x 1.5mm
• 无铅
• 栅极静电放电 (ESD) 保护-3kV
• 无卤素
应用 Application
电池管理
负载开关
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD25211W1015
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-6
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：33
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：44
- Id peak (Max) (A)
：-9.5
- Id max cont (A)
：-3.2
- QG typ (nC)
：3.4
- QGD typ (nC)
：0.2
- QGS typ (nC)
：1.1
- VGSTH typ (V)
：-0.8
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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