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CSD25211W1015数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD25211W1015

功能描述

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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CSD25211W1015规格书详情

描述 Description

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。顶视图 RθJA = 119°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板(PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司 铜过渡片上测得的典型值。脉宽 ≤ 10μs,占空比 ≤ 2%

特性 Features

• 超低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 小尺寸封装 1.0mm x 1.5mm
• 低高度(高度为 0.62mm)
• 无铅
• 栅 - 源电压钳位
• 栅极静电放电 (ESD) 保护-3kV
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素

应用 Application

电池管理
负载开关
电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25211W1015

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-6

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :33

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :44

  • Id peak (Max) (A)

    :-9.5

  • Id max cont (A)

    :-3.2

  • QG typ (nC)

    :3.4

  • QGD typ (nC)

    :0.2

  • QGS typ (nC)

    :1.1

  • VGSTH typ (V)

    :-0.8

  • Package (mm)

    :WLP 1.0x1.5

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