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CSD83325L	文件：1.14575 Mbytes Page：14 Pages	丝印：83325L；Package：PICOSTAR；CSD83325L 12-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Common drain configuration • Low-on resistance • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection 3 Description This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual N 文件：1.14575 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD83325L	文件：1.18336 Mbytes Page：14 Pages	12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.18336 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD83325L	文件：639.66 Kbytes Page：11 Pages	12 V Dual N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：639.66 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD83325L.B	文件：1.14575 Mbytes Page：14 Pages	丝印：83325L；Package：PICOSTAR；CSD83325L 12-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Common drain configuration • Low-on resistance • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection 3 Description This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual N 文件：1.14575 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD83325LT	文件：1.14575 Mbytes Page：14 Pages	丝印：83325L；Package：PICOSTAR；CSD83325L 12-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Common drain configuration • Low-on resistance • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection 3 Description This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual N 文件：1.14575 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD83325LT.B	文件：1.14575 Mbytes Page：14 Pages	丝印：83325L；Package：PICOSTAR；CSD83325L 12-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Common drain configuration • Low-on resistance • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection 3 Description This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual N 文件：1.14575 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD83325L_16	文件：1.18336 Mbytes Page：14 Pages	12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.18336 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD83325LT	文件：1.18336 Mbytes Page：14 Pages	12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.18336 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD83325L	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中由电池供电的应用。 • 共漏极结构\n• 低导通电阻\n• 2.2mm × 1.15mm 小外形封装\n• 无铅 \n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 栅极静电 (ESD) 保护;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Dual Common Drain
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
52
QG typ (nC)：
8.4
QGD typ (nC)：
1.9
Package (mm)：
LGA 2.2x1.2mm
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.95
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
8
ID - package limited (A)：
8
Logic level：
Yes

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