CSD83325L中文资料采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD83325L规格书详情
描述 Description
此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
特性 Features
• 共漏极结构
• 低导通电阻
• 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 栅极静电 (ESD) 保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD83325L
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：5.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：52
- QG typ (nC)
：8.4
- QGD typ (nC)
：1.9
- Package (mm)
：LGA 2.2x1.2mm
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：0.95
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：8
- ID - package limited (A)
：8
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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