CSD83325L数据手册TI中文资料规格书
CSD83325L规格书详情
描述 Description
此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
特性 Features
• 共漏极结构
• 低导通电阻
• 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 栅极静电 (ESD) 保护
技术参数
- 制造商编号
:CSD83325L
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:5.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:52
- QG typ (nC)
:8.4
- QGD typ (nC)
:1.9
- Package (mm)
:LGA 2.2x1.2mm
- VGS (V)
:10
- VGSTH typ (V)
:0.95
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:8
- ID - package limited (A)
:8
- Logic level
:Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
PICOSTAR|6 |
279100 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
PicoStar-6 |
9908 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
6-XFBGA |
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TI/德州仪器 |
25+ |
PICOSTAR-6 |
860000 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
PICOSTAR-6 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
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TI |
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6PICOSTAR |
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TI |
23+ |
6PICOSTAR |
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TI |
三年内 |
1983 |
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TI |
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PICOSTAR |
10000 |
原装正品 |
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