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CSD83325L数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD83325L

功能描述

采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 17:06:00

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CSD83325L规格书详情

描述 Description

此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

特性 Features

• 共漏极结构
• 低导通电阻
• 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 栅极静电 (ESD) 保护

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD83325L

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Dual Common Drain

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :5.9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :52

  • QG typ (nC)

    :8.4

  • QGD typ (nC)

    :1.9

  • Package (mm)

    :LGA 2.2x1.2mm

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :0.95

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :8

  • ID - package limited (A)

    :8

  • Logic level

    :Yes

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