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CSD75208W1015中文资料采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、108mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD75208W1015规格书详情
描述 Description
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。
特性 Features
• 双路 P 通道 MOSFET
• 共源配置
• 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
• 栅极 - 源电压钳位
• 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
技术参数
- 制造商编号
：CSD75208W1015
- 生产厂家
：TI
- VGS (V)
：-6
- Configuration
：Dual Common Source
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：108
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
：150
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
：285
- Id peak (Max) (A)
：-22
- Id max cont (A)
：-1.6
- QG typ (nC)
：1.9
- QGD typ (nC)
：0.23
- QGS typ (nC)
：0.48
- VGSTH typ (V)
：-0.8
- Package (mm)
：WLP 1.0x1.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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