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CSD75208W1015数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD75208W1015

功能描述

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、108mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 17:10:00

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CSD75208W1015规格书详情

描述 Description

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起,使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。

特性 Features

• 双路 P 通道 MOSFET
• 共源配置
• 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
• 栅极 - 源电压钳位
• 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD75208W1015

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-6

  • Configuration

    :Dual Common Source

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :108

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :150

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :285

  • Id peak (Max) (A)

    :-22

  • Id max cont (A)

    :-1.6

  • QG typ (nC)

    :1.9

  • QGD typ (nC)

    :0.23

  • QGS typ (nC)

    :0.48

  • VGSTH typ (V)

    :-0.8

  • Package (mm)

    :WLP 1.0x1.5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
22+
DSBGA-6
500000
原装现货支持实单价优/含税
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