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CSD25501F3规格书详情
描述 Description
这款 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 0.7mm × 0.6mm
• 薄型
• 最大高度为 0.22mm
• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
:CSD25501F3
- 生产厂家
:TI
- VGS (V)
:-20
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:76
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
:125
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
:260
- Id peak (Max) (A)
:-13.6
- Id max cont (A)
:-3.6
- QG typ (nC)
:1.02
- QGD typ (nC)
:0.09
- QGS typ (nC)
:0.45
- VGSTH typ (V)
:-0.75
- Package (mm)
:LGA 0.7x0.6mm
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
PICOSTAR-3 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
TI |
24+ |
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TI(德州仪器) |
24+ |
PICOSTAR-3 |
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TI |
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PICOSTAR-3 |
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TI |
24+ |
PICOSTAR-3 |
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TI/德州仪器 |
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PICOSTAR-3 |
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原装正品 |
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TI/德州仪器 |
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PICOSTAR-3 |
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TI/德州仪器 |
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