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CSD25501F3数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD25501F3

功能描述

采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 17:10:00

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CSD25501F3规格书详情

描述 Description

这款 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。

特性 Features

• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
• 0.7mm × 0.6mm

• 薄型
• 最大高度为 0.22mm

• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25501F3

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-20

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :76

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :125

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :260

  • Id peak (Max) (A)

    :-13.6

  • Id max cont (A)

    :-3.6

  • QG typ (nC)

    :1.02

  • QGD typ (nC)

    :0.09

  • QGS typ (nC)

    :0.45

  • VGSTH typ (V)

    :-0.75

  • Package (mm)

    :LGA 0.7x0.6mm

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