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CSD25484F4中文资料采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD25484F4

功能描述

采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD25484F4规格书详情

描述 Description

这款 80mΩ、–20V P 通道 FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

特性 Features

• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
• 1.0mm × 0.6mm

• 超薄
• 高度为 0.2mm

• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)

• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25484F4

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-12

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :109

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :180

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :825

  • Id peak (Max) (A)

    :-22

  • Id max cont (A)

    :-2.5

  • QG typ (nC)

    :1.09

  • QGD typ (nC)

    :0.15

  • QGS typ (nC)

    :0.35

  • VGSTH typ (V)

    :-0.95

  • Package (mm)

    :LGA 1.0x0.6mm

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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