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CSD25484F4中文资料采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD25484F4规格书详情
描述 Description
这款 80mΩ、–20V P 通道 FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
• 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
• 高度为 0.2mm
• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
技术参数
- 制造商编号
:CSD25484F4
- 生产厂家
:TI
- VGS (V)
:-12
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:109
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
:180
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
:825
- Id peak (Max) (A)
:-22
- Id max cont (A)
:-2.5
- QG typ (nC)
:1.09
- QGD typ (nC)
:0.15
- QGS typ (nC)
:0.35
- VGSTH typ (V)
:-0.95
- Package (mm)
:LGA 1.0x0.6mm
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
标准封装 |
10615 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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TI(德州仪器) |
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TI |
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