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CSD25402Q3A数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

CSD25402Q3A

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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CSD25402Q3A规格书详情

描述 Description

这款 -20V,7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少 SON 3 × 3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗,此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。 顶视图 RθJA = 55°C/W,这是在厚度为 0.060\" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 铜过渡垫片(2 盎司)上测得的典型值。脉宽 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

特性 Features

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 低 RDS(on)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用 Application

直流-直流转换器
电池管理
负载开关
电池保护

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25402Q3A

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-12

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :8.9

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :15.9

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :300

  • Id peak (Max) (A)

    :-82

  • Id max cont (A)

    :-15

  • QG typ (nC)

    :7.5

  • QGD typ (nC)

    :1.1

  • QGS typ (nC)

    :2.4

  • VGSTH typ (V)

    :-0.9

  • Package (mm)

    :SON 3x3

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