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CSD25501F3	文件：1.08349 Mbytes Page：12 Pages	CSD25501F3 –20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.7mm × 0.6mm • Low profile – 0.22mm max height • Integrated ESD protection diode • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for load switch applications • Battery applications • 文件：1.08349 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25501F3	文件：1.06141 Mbytes Page：13 Pages	丝印：V；Package：PICOSTAR；??0-V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.06141 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25501F3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。 • 低导通电阻\n• 超低 Qg 和 Qgd\n• 超小尺寸 \n• 0.7mm × 0.6mm\n \n• 薄型 \n• 最大高度为 0.22mm\n \n• 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管\n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 标准;	TI 德州仪器	TI
CSD25501F3.B	文件：1.08349 Mbytes Page：12 Pages	CSD25501F3 –20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.7mm × 0.6mm • Low profile – 0.22mm max height • Integrated ESD protection diode • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for load switch applications • Battery applications • 文件：1.08349 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25501F3T	文件：1.08349 Mbytes Page：12 Pages	CSD25501F3 –20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.7mm × 0.6mm • Low profile – 0.22mm max height • Integrated ESD protection diode • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for load switch applications • Battery applications • 文件：1.08349 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25501F3T.B	文件：1.08349 Mbytes Page：12 Pages	CSD25501F3 –20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Ultra-small footprint – 0.7mm × 0.6mm • Low profile – 0.22mm max height • Integrated ESD protection diode • Lead and halogen free • RoHS compliant 2 Applications • Optimized for load switch applications • Battery applications • 文件：1.08349 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25501F3T	文件：1.06141 Mbytes Page：13 Pages	丝印：V；Package：PICOSTAR；??0-V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.06141 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-20
Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
76
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
125
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
260
Id peak (Max) (A)：
-13.6
Id max cont (A)：
-3.6
QG typ (nC)：
1.02
QGD typ (nC)：
0.09
QGS typ (nC)：
0.45
VGSTH typ (V)：
-0.75
Package (mm)：
LGA 0.7x0.6mm

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