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CSD25485F5中文资料采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD25485F5规格书详情
描述 Description
这款 29.7mΩ、–20V P 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸而设计。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超小尺寸
• 0.5mm 焊盘间距
• 薄型
• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了应用
技术参数
- 制造商编号
:CSD25485F5
- 生产厂家
:TI
- VGS (V)
:-12
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
:42
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
:70
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
:250
- Id peak (Max) (A)
:-31
- Id max cont (A)
:-5.3
- QG typ (nC)
:2.7
- QGD typ (nC)
:0.56
- QGS typ (nC)
:0.67
- VGSTH typ (V)
:-0.95
- Package (mm)
:LGA 1.5x0.8mm
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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