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CSD25485F5中文资料采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD25485F5

功能描述

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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CSD25485F5规格书详情

描述 Description

这款 29.7mΩ、–20V P 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸而设计。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

特性 Features

• 低导通电阻
• 超小尺寸
• 0.5mm 焊盘间距
• 薄型
• 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
• 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准

应用 Application

针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了应用

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD25485F5

  • 生产厂家

    :TI

  • VGS (V)

    :-12

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :42

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)

    :70

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)

    :250

  • Id peak (Max) (A)

    :-31

  • Id max cont (A)

    :-5.3

  • QG typ (nC)

    :2.7

  • QGD typ (nC)

    :0.56

  • QGS typ (nC)

    :0.67

  • VGSTH typ (V)

    :-0.95

  • Package (mm)

    :LGA 1.5x0.8mm

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