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CSD75208W1015	文件：840.25 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75208；Package：DSBGA；CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Dual P-Channel MOSFETs • Common Source Configuration • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm • Gate-Source Voltage Clamp • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description 文件：840.25 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD75208W1015	文件：766.17 Kbytes Page：12 Pages	Dual 20V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：766.17 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD75208W1015	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、108mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的理想选择。 • 双路 P 通道 MOSFET\n• 共源配置\n• 1.5mm x 1mm 小尺寸封装\n• 栅极 - 源电压钳位\n• 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV\n• 无铅\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素;	TI 德州仪器	TI
CSD75208W1015.B	文件：840.25 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75208；Package：DSBGA；CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Dual P-Channel MOSFETs • Common Source Configuration • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm • Gate-Source Voltage Clamp • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description 文件：840.25 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD75208W1015T	文件：840.25 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75208；Package：DSBGA；CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Dual P-Channel MOSFETs • Common Source Configuration • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm • Gate-Source Voltage Clamp • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description 文件：840.25 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD75208W1015T.B	文件：840.25 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75208；Package：DSBGA；CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Dual P-Channel MOSFETs • Common Source Configuration • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm • Gate-Source Voltage Clamp • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description 文件：840.25 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD75208W1015T	文件：766.17 Kbytes Page：12 Pages	Dual 20V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：766.17 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-6
Configuration：
Dual Common Source
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
108
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
150
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
285
Id peak (Max) (A)：
-22
Id max cont (A)：
-1.6
QG typ (nC)：
1.9
QGD typ (nC)：
0.23
QGS typ (nC)：
0.48
VGSTH typ (V)：
-0.8
Package (mm)：
WLP 1.0x1.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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