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CSD25202W15	文件：471.48 Kbytes Page：11 Pages	丝印：25202；Package：DSBGA；CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low-Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the 文件：471.48 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25202W15	文件：416.25 Kbytes Page：12 Pages	20V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：416.25 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25202W15	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 • 低电阻\n• 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 栅 - 源电压钳位;	TI 德州仪器	TI
CSD25202W15.B	文件：471.48 Kbytes Page：11 Pages	CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low-Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the 文件：471.48 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25202W15T	文件：471.48 Kbytes Page：11 Pages	丝印：25202；Package：DSBGA；CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low-Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the 文件：471.48 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25202W15T.B	文件：471.48 Kbytes Page：11 Pages	CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low-Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Gate ESD Protection –3 kV • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This 21 mΩ, 20 V device is designed to deliver the 文件：471.48 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25202W15_15	文件：957.57 Kbytes Page：15 Pages	CSD25202W15 20-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：957.57 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25202W15T	文件：416.25 Kbytes Page：12 Pages	20V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：416.25 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-6
Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
26
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
32
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
52
Id peak (Max) (A)：
-38
Id max cont (A)：
-4
QG typ (nC)：
5.8
QGD typ (nC)：
0.8
QGS typ (nC)：
1.1
VGSTH typ (V)：
-0.75
Package (mm)：
WLP 1.5x1.5

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