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CSD88539ND	文件：1.15471 Mbytes Page：14 Pages	丝印：88539N；Package：SOIC；CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultra-Low Qg and Qgd • Avalanche Rated • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Half Bridge for Motor Control • Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurren 文件：1.15471 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539ND	文件：961.16 Kbytes Page：13 Pages	Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：961.16 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539ND.B	文件：1.15471 Mbytes Page：14 Pages	丝印：88539N；Package：SOIC；CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultra-Low Qg and Qgd • Avalanche Rated • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Half Bridge for Motor Control • Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurren 文件：1.15471 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539NDG4.B	文件：1.15471 Mbytes Page：14 Pages	丝印：88539N；Package：SOIC；CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultra-Low Qg and Qgd • Avalanche Rated • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Half Bridge for Motor Control • Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurren 文件：1.15471 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539NDT	文件：1.15471 Mbytes Page：14 Pages	丝印：88539N；Package：SOIC；CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultra-Low Qg and Qgd • Avalanche Rated • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Half Bridge for Motor Control • Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurren 文件：1.15471 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539NDT.B	文件：1.15471 Mbytes Page：14 Pages	丝印：88539N；Package：SOIC；CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features • Ultra-Low Qg and Qgd • Avalanche Rated • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Half Bridge for Motor Control • Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurren 文件：1.15471 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539ND_15	文件：985.96 Kbytes Page：14 Pages	CSD88539ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：985.96 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539ND_16	文件：961.16 Kbytes Page：13 Pages	Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：961.16 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539NDT	文件：961.16 Kbytes Page：13 Pages	Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：961.16 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD88539ND	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。顶视图 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 雪崩额定值\n• 无铅\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Dual
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
28
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
46
QG typ (nC)：
14
QGD typ (nC)：
2.3
Package (mm)：
SO-8
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
3
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
11.7
ID - package limited (A)：
15
Logic level：
No

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更多CSD88539ND供应商更新时间2025-10-6 14:07:00

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