丝印：85312E；Package：VSON；Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I

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Dual 20 V N-Channel NexFE Power MOSFETs

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Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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丝印：85312E；Package：VSON；Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I

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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD85312Q3E 是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。 • 共源连接\n• 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装\n• 低热阻\n• 无铅端子电镀\n• 无卤素;

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