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CSD85312Q3E

Dual 20 V N-Channel NexFE Power MOSFETs

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

CSD85312Q3E

Dual 20 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

详细参数

  • 型号:

    CSD85312Q3E

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 8VSON

  • 功能描述:

    DISCREET - DUAL-DRAIN FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Texas Instruments
23+
8-PowerVDFN
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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TI
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VSON-8
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VSON-8
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TI/德州仪器
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VSON-8
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TI(德州仪器)
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VSON-8(3
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23+
N/A
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TI
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8-SON3.3x3.3
45000
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TI
16+
VSON
10000
原装正品
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TI/德州仪器
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TI
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SON3X3
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更多CSD85312Q3E供应商 更新时间2024-4-23 14:14:00