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厂商型号

CSD85312Q3E

功能描述

Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

丝印标识

85312E

封装外壳

VSON

文件大小

1.20772 Mbytes

页面数量

15

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 9:33:00

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CSD85312Q3E规格书详情

1FEATURES

• Common Source Connection

• Low Drain to Drain On-Resistance

• Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic

Package

• Optimized for 5 V Gate Drive

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb-Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

APPLICATIONS

• Adaptor or USB Input Protection for Notebook

PCs and Tablets

DESCRIPTION

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual

N-channel device designed for adaptor or USB input

protection. This SON 3.3 x 3.3 mm device has low

drain to drain on-resistance that minimizes losses and

offers low component count for space constrained

multi-cell battery charging applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD85312Q3E

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 8VSON

  • 功能描述:

    DISCREET - DUAL-DRAIN FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
22+
8VSON (3.3x3.3)
9000
原厂渠道,现货配单
询价
TI(德州仪器)
23+
Tape & Reel
15000
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TI/德州仪器
1710+
SON3X3
123
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TI(德州仪器)
24+/25+
10000
原装正品现货库存价优
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TI/德州仪器
24+
VSON-8
2500
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TI(德州仪器)
24+
VSON-8(3
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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TI
22+
8-SON
25000
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TI
2511
VSON-8
3200
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24+
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Texas Instruments(德州仪器)
24+
SSOP-28
690000
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