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CSD85302LT规格书详情
1 Features
1• Common Drain Configuration
• Low On-Resistance
• Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
• Pb Free and Halogen Free
• RoHS Compliant
• ESD HBM Protection >2.5 kV
2 Applications
• USB Type-C/PD
• Battery Management
• Battery Protection
3 Description
This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual
NexFET™ power MOSFET is designed to minimize
resistance in the smallest footprint. Its small footprint
and common drain configuration make the device
ideal for battery-powered applications in small
handheld devices.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
PicoStar4 |
7350 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
4-XFLGA |
65248 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
4-XFLGA |
3126 |
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TI/德州仪器 |
2450+ |
PICOSTAR(YME)4 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
PICOSTAR-4 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
2447 |
VSON-8 |
115000 |
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TI |
16+ |
VSON |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
Texas Instruments |
2022+ |
4-Picostar(1.31x1.31) |
38550 |
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询价 |
