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厂商型号

CSD85302L

功能描述

CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

85302

封装外壳

PICOSTAR

文件大小

474.29 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-26 16:57:00

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CSD85302L规格书详情

1 Features

1• Common Drain Configuration

• Low On-Resistance

• Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm

• Pb Free and Halogen Free

• RoHS Compliant

• ESD HBM Protection >2.5 kV

2 Applications

• USB Type-C/PD

• Battery Management

• Battery Protection

3 Description

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual

NexFET™ power MOSFET is designed to minimize

resistance in the smallest footprint. Its small footprint

and common drain configuration make the device

ideal for battery-powered applications in small

handheld devices.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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