CSD85312Q3E芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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CSD85312Q3E	文件：1.20772 Mbytes Page：15 Pages	丝印：85312E；Package：VSON；Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I 文件：1.20772 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD85312Q3E.B	文件：1.20772 Mbytes Page：15 Pages	丝印：85312E；Package：VSON；Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES • Common Source Connection • Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor or USB I 文件：1.20772 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI

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更多85312E供应商更新时间2026-1-17 18:54:00