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厂商型号

CSD85312Q3E.B

功能描述

Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

丝印标识

85312E

封装外壳

VSON

文件大小

1.20772 Mbytes

页面数量

15

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 9:48:00

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CSD85312Q3E.B规格书详情

1FEATURES

• Common Source Connection

• Low Drain to Drain On-Resistance

• Space Saving SON 3.3 x 3.3 mm Plastic

Package

• Optimized for 5 V Gate Drive

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb-Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

APPLICATIONS

• Adaptor or USB Input Protection for Notebook

PCs and Tablets

DESCRIPTION

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual

N-channel device designed for adaptor or USB input

protection. This SON 3.3 x 3.3 mm device has low

drain to drain on-resistance that minimizes losses and

offers low component count for space constrained

multi-cell battery charging applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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