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CSD19535KTTT	文件：969.06 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19535KTT；Package：TO-263；CSD19535KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Hot swap • Motor control • Secondary side synchronous rectifier 3 Description This 100V, 2.8mΩ, D2PAK 文件：969.06 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19535KTTT	文件：339.5 Kbytes Page：12 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：339.5 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19535KTTT.B	文件：969.06 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19535KTT；Package：TO-263；CSD19535KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Hot swap • Motor control • Secondary side synchronous rectifier 3 Description This 100V, 2.8mΩ, D2PAK 文件：969.06 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
L-19535	文件：16.12 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT DRUM CORE INDUCTOR 文件：16.12 Kbytes 页数：1 Pages	RHOMBUS-IND	RHOMBUS-IND

更多CSD19535KTTT供应商更新时间2024-2-29 11:17:00