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CSD87384M	文件：569.4 Kbytes Page：22 Pages	丝印：87384M；Package：PTAB；CSD87384M Synchronous Buck NexFET™ Power Block II 1 Features 1• Half-Bridge Power Block • 90.5% System Efficiency at 25 A • Up to 30 A Operation • High Density – 5 mm x 3.5 mm LGA Footprint • Double-Side Cooling Capability • Ultra-Low Profile – 0.48 mm Max • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Switching Losses • Ultra-Low Inductance P 文件：569.4 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384M	文件：1.00029 Mbytes Page：21 Pages	CSD87384M Synchronous Buck NexFET Power Block II 文件：1.00029 Mbytes 页数：21 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384M	文件：972.99 Kbytes Page：23 Pages	CSD87384M Synchronous Buck NexFET??Power Block II 文件：972.99 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384M	文件：994.68 Kbytes Page：20 Pages	Synchronous Buck NexFET Power Block II 文件：994.68 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384M.B	文件：569.4 Kbytes Page：22 Pages	丝印：87384M；Package：PTAB；CSD87384M Synchronous Buck NexFET™ Power Block II 1 Features 1• Half-Bridge Power Block • 90.5% System Efficiency at 25 A • Up to 30 A Operation • High Density – 5 mm x 3.5 mm LGA Footprint • Double-Side Cooling Capability • Ultra-Low Profile – 0.48 mm Max • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Switching Losses • Ultra-Low Inductance P 文件：569.4 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384MT	文件：569.4 Kbytes Page：22 Pages	丝印：87384M；Package：PTAB；CSD87384M Synchronous Buck NexFET™ Power Block II 1 Features 1• Half-Bridge Power Block • 90.5% System Efficiency at 25 A • Up to 30 A Operation • High Density – 5 mm x 3.5 mm LGA Footprint • Double-Side Cooling Capability • Ultra-Low Profile – 0.48 mm Max • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Switching Losses • Ultra-Low Inductance P 文件：569.4 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384MT.B	文件：569.4 Kbytes Page：22 Pages	丝印：87384M；Package：PTAB；CSD87384M Synchronous Buck NexFET™ Power Block II 1 Features 1• Half-Bridge Power Block • 90.5% System Efficiency at 25 A • Up to 30 A Operation • High Density – 5 mm x 3.5 mm LGA Footprint • Double-Side Cooling Capability • Ultra-Low Profile – 0.48 mm Max • Optimized for 5 V Gate Drive • Low Switching Losses • Ultra-Low Inductance P 文件：569.4 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384M_15	文件：972.99 Kbytes Page：23 Pages	CSD87384M Synchronous Buck NexFET??Power Block II 文件：972.99 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384MT	文件：972.99 Kbytes Page：23 Pages	CSD87384M Synchronous Buck NexFET??Power Block II 文件：972.99 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD87384M	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 此 CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。 • 半桥电源块\n• 电流 25A 时，系统效率达到 90.5%\n• 高达 30A 的工作电流\n• 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装\n• 双侧冷却能力\n• 超薄 - 最大厚度为 0.48mm\n• 针对 5V 栅极驱动进行了优化\n• 低开关损耗\n• 超低电感封装\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 无铅;	TI 德州仪器	TI

技术参数

VDS (V)：
30
Power loss (W)：
3.7
Ploss current (A)：
25
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)：
30
Operating temperature range (C)：
-55 to 150
Features：
Power supply
Duty cycle (%)：
Low

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD87384M供应商更新时间2025-10-7 15:08:00

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