CSD87384M中文资料采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD87384M规格书详情
描述 Description
此 CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计,能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,此款产品可提供高效且灵活的解决方案,此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时,均可提供一个高密度电源。
特性 Features
• 半桥电源块
• 电流 25A 时,系统效率达到 90.5%
• 高达 30A 的工作电流
• 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
• 双侧冷却能力
• 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低开关损耗
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 无铅
应用 Application
同步降压转换器高频应用
高电流、低占空比应用
技术参数
- 制造商编号
:CSD87384M
- 生产厂家
:TI
- VDS (V)
:30
- Power loss (W)
:3.7
- Ploss current (A)
:25
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
:30
- Operating temperature range (C)
:-55 to 150
- Features
:Power supply
- Duty cycle (%)
:Low
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
PTAB-5 |
17048 |
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PTAB-5 |
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24+ |
PTAB-5 |
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