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CSD87384M中文资料采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD87384M

参数属性

CSD87384M 包装为盒;类别为开发板套件编程器的评估板-DC/DC与AC/DC(离线)SMPS;产品描述:EVAL MODULE FOR CSD87384M

功能描述

采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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CSD87384M规格书详情

描述 Description

此 CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计,能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,此款产品可提供高效且灵活的解决方案,此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时,均可提供一个高密度电源。

特性 Features

• 半桥电源块
• 电流 25A 时,系统效率达到 90.5%
• 高达 30A 的工作电流
• 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
• 双侧冷却能力
• 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低开关损耗
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 无铅

应用 Application

同步降压转换器高频应用
高电流、低占空比应用

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD87384M

  • 生产厂家

    :TI

  • VDS (V)

    :30

  • Power loss (W)

    :3.7

  • Ploss current (A)

    :25

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)

    :30

  • Operating temperature range (C)

    :-55 to 150

  • Features

    :Power supply

  • Duty cycle (%)

    :Low

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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