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CSD86336Q3D中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD86336Q3D

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 20:00:00

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CSD86336Q3D规格书详情

描述 Description

CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。

特性 Features

• 半桥电源块
• 12A 电流下系统效率高达 93.0%
• 工作电流高达 20A
• 高频工作(高达 1.5MHz)
• 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 开关损耗较低
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD86336Q3D

  • 生产厂家

    :TI

  • VDS (V)

    :25

  • Power loss (W)

    :1.8

  • Ploss current (A)

    :15

  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)

    :20

  • Operating temperature range (C)

    :-55 to 150

  • Features

    :Power supply

  • Duty cycle (%)

    :Low

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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