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CSD85301Q2中文资料采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD85301Q2规格书详情
描述 Description
CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件，它具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。 此外，该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
特性 Features
• 低导通电阻
• 两个独立的 MOSFET
• 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
• 针对 5V 栅极驱动器而优化
• 雪崩级
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 环保标准
应用 Application
用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对笔记本个人电脑(PC)和平板电脑的适配器或USB输入保护
电池保护
技术参数
- 制造商编号
：CSD85301Q2
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Dual
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：27
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：26
- QG typ (nC)
：4.2
- QGD typ (nC)
：1
- Package (mm)
：SON2x2
- VGS (V)
：10
- VGSTH typ (V)
：0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：5
- ID - package limited (A)
：5
- Logic level
：Yes
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